Электрика-это просто!.ru
Наш адрес-elektrikaetoprosto@yandex.ru

Транзистор MJE13001(13001).

Транзистор MJE13003(13003).




Схемы
металло
искателей.

Схемы цвето
музыкальных
устройств.

Параметры
транзисторов

П27 П28
МП20 МП25
МП26 МП35
МП36 МП37
МП38 МП39
МП40 МП42

ГТ109 ГТ115
ГТ124 ГТ125
ГТ322 ГТ402
ГТ404 ГТ806
ГТ810

П201 П202
П210 П213
П214 П215
П217 П401
П701 П702

КТ117 КТ203
КТ208КТ373
КТ312 КТ315
КТ342 КТ361
КТ368 КТ501
КТ502КТ503
КТ602 КТ603
КТ604 КТ605
КТ608 КТ611
КТ645 КТ646
КТ802 КТ803
КТ805 КТ808
КТ812 КТ814
КТ815 КТ816
КТ817 КТ818
КТ819
КТ825
КТ827 КТ839
КТ872 КТ898
КТ927 КТ932
КТ940 КТ973
КТ3102 КТ3107

BC182 BC183
BC184 BC546
BC547 BC548
BC549 BC550
BC557 B772
BC817

A733 A1015

2N104 2N457
2N3054 2N3055
2N1423 2N6051
2N6108 2N2222

SS9011(S9011)
SS9012(S9012)
STS9013(S9013)
STS9014(S9014)
SS9015(S9015)
SS9016(S9016)
SS9018(S9018)

MJE13001(13001)
MJE13002(13002)
MJE13003(13003)
MJE13005(13005)
MJE13009(13009)
2SD2499(D2499)
SS8050(S8050)




Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003) .


Транзисторы MJE13001(13001).
Транзисторы MJE13003(13003).


Транзисторы MJE13001(13001)

Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производитель - Китай. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.
Выпускаются в пластмассовом корпусе TO-92, с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже - цоколевка MJE13001(13001).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у MJE13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A - от 10 до 15.
У MJE13001B - от 15 до 20.
У MJE13001C - от 20 до 25.
У MJE13001D - от 25 до 30.
У MJE13001E - от 30 до 35.
У MJE13001F - от 35 до 40.
У MJE13001G - от 40 до 45.
У MJE13001H - от 45 до 50.
У MJE13001I - от 50 до 55.
У MJE13001J - от 55 до 60.
У MJE13001K - от 60 до 65.
У MJE13001L - от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока - 8МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) - 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА - 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА - не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора - 0.75 Вт.



Транзисторы MJE13003(13003)

Транзисторы MJE13003(13003) кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные,структуры n-p-n, Как и MJE13001, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускается в самых различных корпусах. Маркировка буквенно - цифровая, на корпусе. На рисунке ниже - цоколевка MJE13003(13003).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A - от 8 до 12.
У MJE13003B - от 12 до 18.
У MJE13003C - от 18 до 27.
У MJE13003D - от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер - 400 В.

Максимальный ток коллектора - постоянный 1,5 А, пульсирующий - 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А - 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А - - не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 - 1.4 ватт,
TO-220 - 50 ватт,
TO-252 и TO-251 - 25 ватт,
TO-92 и TO-92L - 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока - 4 МГц.



Схема "зарядки" для телефона.

R1 - 1 Ом, 1Ватт.
R2 - 20 кОм.
R3 - 680 кОм.
R4 - 100 кОм.
R5 - 43 Ом.
R6 - 5,1 Ом.
R7 - 33 Ом.
R8 - 1 кОм.
R9 - 1,5 кОм.
C1 - 22 мФ,25в(оксидный).
C2 - 1 нФ, 400в.
C3 - 3,3 нФ, 1000в.
C4 - 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 - 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 - стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 - диод 1N407.
VD4 - диод 1N4937.
VD5 - индикаторный светодиод.
Транзистор - MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант - MJE13005(13005).

На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".