Электрика-это просто!.ru
Наш адрес-elektrikaetoprosto@yandex.ru

Транзистор КТ645.

Транзисторы КТ646.




Схемы
металло
искателей.

Схемы цвето
музыкальных
устройств.

Параметры
транзисторов

П27 П28
МП20 МП25
МП26 МП35
МП36 МП37
МП38 МП39
МП40 МП42

ГТ109 ГТ115
ГТ124 ГТ125
ГТ322 ГТ402
ГТ404 ГТ806
ГТ810

П201 П202
П210 П213
П214 П215
П217 П401
П701 П702

КТ117 КТ203
КТ208КТ373
КТ312 КТ315
КТ342 КТ361
КТ368 КТ501
КТ502КТ503
КТ602 КТ603
КТ604 КТ605
КТ608 КТ611
КТ645 КТ646
КТ802 КТ803
КТ805 КТ808
КТ812 КТ814
КТ815 КТ816
КТ817 КТ818
КТ819
КТ825
КТ827 КТ839
КТ872 КТ898
КТ927 КТ932
КТ940 КТ973
КТ3102 КТ3107

BC182 BC183
BC184 BC546
BC547 BC548
BC549 BC550
BC557 B772
BC817

A733 A1015

2N104 2N457
2N3054 2N3055
2N1423 2N6051
2N6108 2N2222

SS9011(S9011)
SS9012(S9012)
STS9013(S9013)
STS9014(S9014)
SS9015(S9015)
SS9016(S9016)
SS9018(S9018)

MJE13001(13001)
MJE13002(13002)
MJE13003(13003)
MJE13005(13005)
MJE13009(13009)
2SD2499(D2499)
SS8050(S8050)




Транзисторы КТ645, КТ646 - параметры,цоколевка.


Транзисторы КТ645А, КТ645Б
Транзисторы КТ646А, КТ646Б, КТ646В.


Транзисторы КТ645А, КТ645Б.

Транзисторы КТ645 - кремниевые, усилительные, средней мощности высокочастотные, структуры - n-p-n.
КТ645А, КТ645Б - являются многофункциональными транзисторами общего назначения и могут использоваться в самых различных радиоэлектронных схемах.
В настоящее время КТ645 производятся на белорусском предприятии "Интеграл".
Корпус пластиковый TO-92.


Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,5 Вт.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ645А - 50 в.
У транзисторов КТ645Б - 40 в.

Максимальное напряжение коллектор - база(постоянное):
У транзисторов КТ645А - 60 в.
У транзисторов КТ645Б - 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У транзисторов КТ645А - 4 в.
У транзисторов КТ645Б - 5 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 300мА, импульсный - 600мА.

Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" : У транзисторов КТ645А - от 20 до 200.
У транзисторов КТ645Б - свыше 80.

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию - не более 10 мкА.

Граничная частота передачи тока( fh21э ) - 250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер:
У транзисторов КТ645А при токе колектора 150 мА и токе базы 15 мА - не более 0,5 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 10 мА и токе базы 1 мА - 0,05 в.

Напряжение насыщения база - эмиттер - при токе колектора 150 мА и токе базы 15 мА - не более 1,2 в.

Аналоги КТ645А, КТ645Б.

Транзисторы КТ645А, КТ645Б были разработаны на основе импортных BC547. Соответственно, их почти всегда можно заменить именно - этими транзисторами.



Транзисторы КТ646А, КТ646Б, КТ646В.


Транзисторы КТ646 - кремниевые, высокочастотные, быстродействующие структуры n-p-n .
В настоящее время эти транзисторы производятся на белорусском предприятии "Интеграл", а также в ЗАО"Кремний-Маркетинг"(Брянск).
Корпус пластиковый TO-126.


Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 1 Вт без радиатора,2,5 Вт - с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ646А - 50 в.
У транзисторов КТ646Б - 40 в.
У транзисторов КТ646В - 40 в.

Максимальное напряжение коллектор - база(постоянное):
У транзисторов КТ646А - 60 в.
У транзисторов КТ646Б - 40 в.
У транзисторов КТ646В - 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У всех транзисторов КТ646 - 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 1А, импульсный - 1,2А.

Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" :
У транзисторов КТ646А - от 40 до 200.
У транзисторов КТ646Б - свыше 150.
У транзисторов КТ646В -от 150 до 340.

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию:
У транзисторов КТ646А при напряжении коллектор-база 60в - не более 10мкА.
У транзисторов КТ646Б при напряжении коллектор-база 40в - не более 10мкА.
У транзисторов КТ646В при напряжении коллектор-база 35в - не более 0,05мкА..

Граничная частота передачи тока( fh21э ) - 250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер: У транзисторов КТ646А при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА - не более 0,85 в.
У транзисторов КТ646Б при токе колектора 200 мА и токе базы 20 мА - не более 0,25 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА - не более 0,25 в.

Напряжение насыщения база - эмиттер - при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА - не более 1,2 в.

Аналоги КТ646.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б были разработаны на основе импортных 2SC495 и 2SC496, соответственно.
Аналоги получились не полные, но ближайшими их вполне назвать можно.



На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".