Транзисторы КТ645, КТ646 - параметры,
цоколевка.


Транзисторы КТ645А, КТ645Б
Транзисторы КТ646А, КТ646Б, КТ646В.


Транзисторы КТ645А, КТ645Б.

Транзисторы КТ645 - кремниевые, усилительные, средней мощности высокочастотные, структуры - n-p-n.
КТ645А, КТ645Б - являются многофункциональными транзисторами общего назначения и могут использоваться в самых различных радиоэлектронных схемах.
В настоящее время КТ645 производятся на белорусском предприятии "Интеграл".
Корпус пластиковый TO-92.


Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,5 Вт.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ645А - 50 в.
У транзисторов КТ645Б - 40 в.

Максимальное напряжение коллектор - база(постоянное):
У транзисторов КТ645А - 60 в.
У транзисторов КТ645Б - 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У транзисторов КТ645А - 4 в.
У транзисторов КТ645Б - 5 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 300мА, импульсный - 600мА.

Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" : У транзисторов КТ645А - от 20 до 200.
У транзисторов КТ645Б - свыше 80.

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию - не более 10 мкА.

Граничная частота передачи тока( fh21э ) - 250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер:
У транзисторов КТ645А при токе колектора 150 мА и токе базы 15 мА - не более 0,5 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 10 мА и токе базы 1 мА - 0,05 в.

Напряжение насыщения база - эмиттер - при токе колектора 150 мА и токе базы 15 мА - не более 1,2 в.

Аналоги КТ645А, КТ645Б.

Транзисторы КТ645А, КТ645Б были разработаны на основе импортных BC547. Соответственно, их почти всегда можно заменить именно - этими транзисторами.



Транзисторы КТ646А, КТ646Б, КТ646В.


Транзисторы КТ646 - кремниевые, высокочастотные, быстродействующие структуры n-p-n .
В настоящее время эти транзисторы производятся на белорусском предприятии "Интеграл", а также в ЗАО"Кремний-Маркетинг"(Брянск).
Корпус пластиковый TO-126.


Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 1 Вт без радиатора,2,5 Вт - с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ646А - 50 в.
У транзисторов КТ646Б - 40 в.
У транзисторов КТ646В - 40 в.

Максимальное напряжение коллектор - база(постоянное):
У транзисторов КТ646А - 60 в.
У транзисторов КТ646Б - 40 в.
У транзисторов КТ646В - 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У всех транзисторов КТ646 - 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 1А, импульсный - 1,2А.

Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" :
У транзисторов КТ646А - от 40 до 200.
У транзисторов КТ646Б - свыше 150.
У транзисторов КТ646В -от 150 до 340.

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию:
У транзисторов КТ646А при напряжении коллектор-база 60в - не более 10мкА.
У транзисторов КТ646Б при напряжении коллектор-база 40в - не более 10мкА.
У транзисторов КТ646В при напряжении коллектор-база 35в - не более 0,05мкА..

Граничная частота передачи тока( fh21э ) - 250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер: У транзисторов КТ646А при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА - не более 0,85 в.
У транзисторов КТ646Б при токе колектора 200 мА и токе базы 20 мА - не более 0,25 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА - не более 0,25 в.

Напряжение насыщения база - эмиттер - при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА - не более 1,2 в.

Аналоги КТ646.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б были разработаны на основе импортных 2SC495 и 2SC496, соответственно.
Аналоги получились не полные, но ближайшими их вполне назвать можно.


На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".