Электрика-это просто!.ru
Наш адрес-elektrikaetoprosto@yandex.ru

Транзистор ГТ109.

Транзисторы ГТ115.




Схемы
металло
искателей.

Схемы цвето
музыкальных
устройств.

Параметры
транзисторов

П27 П28
МП20 МП25
МП26 МП35
МП36 МП37
МП38 МП39
МП40 МП42

ГТ109 ГТ115
ГТ124 ГТ125
ГТ322 ГТ402
ГТ404 ГТ806
ГТ810

П201 П202
П210 П213
П214 П215
П217 П401
П701 П702

КТ117 КТ203
КТ208КТ373
КТ312 КТ315
КТ342 КТ361
КТ368 КТ501
КТ502КТ503
КТ602 КТ603
КТ604 КТ605
КТ608 КТ611
КТ645 КТ646
КТ802 КТ803
КТ805 КТ808
КТ812 КТ814
КТ815 КТ816
КТ817 КТ818
КТ819
КТ825
КТ827 КТ839
КТ872 КТ898
КТ927 КТ932
КТ940 КТ973
КТ3102 КТ3107

BC182 BC183
BC184 BC546
BC547 BC548
BC549 BC550
BC557 B772
BC817

A733 A1015

2N104 2N457
2N3054 2N3055
2N1423 2N6051
2N6108 2N2222

SS9011(S9011)
SS9012(S9012)
STS9013(S9013)
STS9014(S9014)
SS9015(S9015)
SS9016(S9016)
SS9018(S9018)

MJE13001(13001)
MJE13002(13002)
MJE13003(13003)
MJE13005(13005)
MJE13009(13009)
2SD2499(D2499)
SS8050(S8050)




Транзисторы ГТ109 и ГТ115.


Транзисторы ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В,
ГТ109Г, ГТ109Д,ГТ109Е,ГТ109Ж,
ГТ109И.
Транзисторы ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В
ГТ115Г, ГТ115Д.


Транзисторы ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И.

Транзисторы ГТ109 - германиевые, маломощные низкочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты.
Масса - около 0,1 г. Маркировка буквенно - цифровая.


Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 30 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э ):
У транзисторов ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Ж, ГТ109И - не менее 1 МГц;
У транзисторов ГТ109Д - не менее 3 МГц;
У транзисторов ГТ109Е - не менее 5 МГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 6 в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 10 в, импульсное - 16 в.

Максимальный ток коллектора - 20 мА.

Коэффициент передачи тока в режиме "малого сигнала" - у ГТ109А, ГТ109Ж от 20 до 50, у ГТ109Б от 35 до 80.
У ГТ109В - от 60 до 130,у ГТ124Г - от 110 до 150.
У ГТ109Д от 20 до 70, у ГТ109Е от 50 до 100.
У ГТ109Е от 20 до 80.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в - у транзисторов ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109И не более 5 мкА.
у транзисторов ГТ109Д - 2 мкА, у ГТ109Е, ГТ109Ж - 1 мкА, при напряжении коллектор-база 1,5в

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в у транзисторов ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Ж, ГТ109И не более - 5 мкА.
у транзисторов ГТ109Д при напряжении эмиттер-база 1,5в - 3 мкА, у ГТ109Е - 3 мкА, при напряжении эмиттер-база 1,2в




Транзисторы ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д.


Транзисторы ГТ115 - германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса - около 0,6 г. Маркировка буквенно - цифровая, сверху корпуса.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов ГТ115А, ГТ115Б - от 20 до 80, у ГТ115В, ГТ115Г находится в пределах от 60 до 150.
У транзисторов ГТ115А, ГТ115Б - от 20 до 80

Максимальное напряжение эмиттер-база - 20в.

Максимальное напряжение коллектор - база :
У транзисторов ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д - 20в.
У транзисторов ГТ115Б, ГТ115Г - 30в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером: До 1 МГц.

Максимальный ток коллектора - 30 мА.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 20в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию: У транзисторов ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д не более - 40 мкА.
У транзисторов ГТ115Б, ГТ115Г не более - 40 мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора - 50мВт.



На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".