Транзисторы ГТ806(1Т806), ГТ810.


Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В,
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г,
ГТ806Д.
Транзисторы ГТ810А.


Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д.

Транзисторы ГТ806(1Т806) - германиевые, мощные низкочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами Предназначены для применения в импульсных схемах,преобразователях, стабилизаторах тока и напряжения.
Выпускались в металло-стеклянном корпусе с жесткими выводами. Масса - около 28 г. Маркировка буквенно - цифровая.


Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 30 Вт на радиаторе, 2 Вт - без радиатора.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер: У транзисторов 1Т806А, ГТ806А - 75 в.
У транзисторов 1Т806Б, ГТ806Б - 100 в.
У транзисторов 1Т806В, ГТ806В - 120 в.
У транзисторов ГТ806Г - 50 в.
У транзисторов ГТ806Д - 140 в.

Максимальное напряжение база-эмиттер: У транзисторов 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В - 2 в.
У транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д - 15 в.

Максимальный ток коллектора(импульсный) - 25 А.

Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" в режиме насыщения при токе коллектора 10А - от 10 до 100.

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию:
у транзисторов 1Т806А при напряжении база-эмиттер 1в и колектор-эмиттер 75в - не более 12 мА.
у транзисторов 1Т806Б при напряжении база-эмиттер 1в и колектор-эмиттер 100в - не более 12 мА.
у транзисторов 1Т806В при напряжении база-эмиттер 1в и колектор-эмиттер 120в - не более 12 мА.
У транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д при напряжении база-эмитер 1в и экстремальных значениях напряжения коллектор-эмиттер - 15 мА.

Обратный ток эмиттер-база :
у транзисторов 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В при напряжении эмиттер-база 2в - 5 мА.
у транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д при напряжении эмиттер-база 1,5в - 8 мА.



Транзисторы ГТ810А.


Транзисторы ГТ810А - германиевые, усилительные, мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Два варианта корпуса.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов ГТ810А - 15.

Максимальное напряжение эмиттер-база - 1,4в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 200в.

Максимальное напряжение коллектор -эмиттер - 250в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером: До 12 МГц.

Максимальный ток коллектора - 10 А.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 200в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию - не более 20 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмитер-база 1,4в - не более 15 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора - 15 Вт на радиаторе, 0,75 Вт - без.



На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".