Электрика-это просто!.ru
Наш адрес-elektrikaetoprosto@yandex.ru

Транзистор ГТ806(1Т806).

Транзисторы ГТ810А .




Схемы
металло
искателей.

Схемы цвето
музыкальных
устройств.

Параметры
транзисторов

П27 П28
МП20 МП25
МП26 МП35
МП36 МП37
МП38 МП39
МП40 МП42

ГТ109 ГТ115
ГТ124 ГТ125
ГТ322 ГТ402
ГТ404 ГТ806
ГТ810

П201 П202
П210 П213
П214 П215
П217 П401
П701 П702

КТ117 КТ203
КТ208КТ373
КТ312 КТ315
КТ342 КТ361
КТ368 КТ501
КТ502КТ503
КТ602 КТ603
КТ604 КТ605
КТ608 КТ611
КТ645 КТ646
КТ802 КТ803
КТ805 КТ808
КТ812 КТ814
КТ815 КТ816
КТ817 КТ818
КТ819
КТ825
КТ827 КТ839
КТ872 КТ898
КТ927 КТ932
КТ940 КТ973
КТ3102 КТ3107

BC182 BC183
BC184 BC546
BC547 BC548
BC549 BC550
BC557 B772
BC817

A733 A1015

2N104 2N457
2N3054 2N3055
2N1423 2N6051
2N6108 2N2222

SS9011(S9011)
SS9012(S9012)
STS9013(S9013)
STS9014(S9014)
SS9015(S9015)
SS9016(S9016)
SS9018(S9018)

MJE13001(13001)
MJE13002(13002)
MJE13003(13003)
MJE13005(13005)
MJE13009(13009)
2SD2499(D2499)
SS8050(S8050)




Транзисторы ГТ806(1Т806), ГТ810.


Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В,
ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г,
ГТ806Д.
Транзисторы ГТ810А.


Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д.

Транзисторы ГТ806(1Т806) - германиевые, мощные низкочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами Предназначены для применения в импульсных схемах,преобразователях, стабилизаторах тока и напряжения.
Выпускались в металло-стеклянном корпусе с жесткими выводами. Масса - около 28 г. Маркировка буквенно - цифровая.


Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 30 Вт на радиаторе, 2 Вт - без радиатора.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер: У транзисторов 1Т806А, ГТ806А - 75 в.
У транзисторов 1Т806Б, ГТ806Б - 100 в.
У транзисторов 1Т806В, ГТ806В - 120 в.
У транзисторов ГТ806Г - 50 в.
У транзисторов ГТ806Д - 140 в.

Максимальное напряжение база-эмиттер: У транзисторов 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В - 2 в.
У транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д - 15 в.

Максимальный ток коллектора(импульсный) - 25 А.

Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" в режиме насыщения при токе коллектора 10А - от 10 до 100.

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию:
у транзисторов 1Т806А при напряжении база-эмиттер 1в и колектор-эмиттер 75в - не более 12 мА.
у транзисторов 1Т806Б при напряжении база-эмиттер 1в и колектор-эмиттер 100в - не более 12 мА.
у транзисторов 1Т806В при напряжении база-эмиттер 1в и колектор-эмиттер 120в - не более 12 мА.
У транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д при напряжении база-эмитер 1в и экстремальных значениях напряжения коллектор-эмиттер - 15 мА.

Обратный ток эмиттер-база :
у транзисторов 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В при напряжении эмиттер-база 2в - 5 мА.
у транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д при напряжении эмиттер-база 1,5в - 8 мА.



Транзисторы ГТ810А.


Транзисторы ГТ810А - германиевые, усилительные, мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Два варианта корпуса.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов ГТ810А - 15.

Максимальное напряжение эмиттер-база - 1,4в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 200в.

Максимальное напряжение коллектор -эмиттер - 250в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером: До 12 МГц.

Максимальный ток коллектора - 10 А.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 200в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию - не более 20 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмитер-база 1,4в - не более 15 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора - 15 Вт на радиаторе, 0,75 Вт - без.



На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".