Электрика-это просто!.ru
Наш адрес-elektrikaetoprosto@yandex.ru

Транзистор П416.

Транзистор П214 .




Схемы
металло
искателей.

Схемы цвето
музыкальных
устройств.

Параметры
транзисторов

П27 П28
МП20 МП25
МП26 МП35
МП36 МП37
МП38 МП39
МП40 МП42

ГТ109 ГТ115
ГТ124 ГТ125
ГТ322 ГТ402
ГТ404 ГТ806
ГТ810

П201 П202
П210 П213
П214 П215
П217 П401
П701 П702

КТ117 КТ203
КТ208КТ373
КТ312 КТ315
КТ342 КТ361
КТ368 КТ501
КТ502КТ503
КТ602 КТ603
КТ604 КТ605
КТ608 КТ611
КТ645 КТ646
КТ802 КТ803
КТ805 КТ808
КТ812 КТ814
КТ815 КТ816
КТ817 КТ818
КТ819
КТ825
КТ827 КТ839
КТ872 КТ898
КТ927 КТ932
КТ940 КТ973
КТ3102 КТ3107

BC182 BC183
BC184 BC546
BC547 BC548
BC549 BC550
BC557 B772
BC817

A733 A1015

2N104 2N457
2N3054 2N3055
2N1423 2N6051
2N6108 2N2222

SS9011(S9011)
SS9012(S9012)
STS9013(S9013)
STS9014(S9014)
SS9015(S9015)
SS9016(S9016)
SS9018(S9018)

MJE13001(13001)
MJE13002(13002)
MJE13003(13003)
MJE13005(13005)
MJE13009(13009)
2SD2499(D2499)
SS8050(S8050)




Транзисторы П416 и П214.


Транзисторы П416.
Транзисторы П214.


Транзисторы П416

Транзисторы П416 - германиевые, маломощные, высокочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус металлостекляный.
Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса. Эмиттер находится с краю - отмечен цветной точкой на корпусе. Коллектор находится посередине, база с противоположной стороны, от эмиттера. На рисунке ниже - маркировка и цоколевка П416.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, при температуре окружающей среды +25 по Цельсию.
У транзисторов П416 без буквы - от 25 до 80
У транзисторов П416А - от 60 до 125
У транзисторов П416Б - от 90 до 200

Граничная частота передачи тока.
У транзисторов П416 без буквы - 40 МГц.
У транзисторов П416А - 60 МГц.
У транзисторов П416Б - 80 МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 12 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) - 25 мА. <

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 10в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более - 3 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более - 100 мкА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 50мА и базовом 3мА:
У транзисторов П416 без буквы - 2 в.
У транзисторов П416А, П416Б - 1,7 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10мА и базовом 1мА:
- 0,5 в.

Рассеиваемая мощность коллектора - 100 мВт.



Транзисторы П214

Транзисторы П214 - большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в схемах переключения, выходных каскадах усилителей НЧ, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. Корпус металлический, герметичный. Маркировка буквенно - цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка П214.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов П214В, П214Г - 20.
У транзисторов П214 без буквы - от 20 до 60.
У транзисторов П214А - от 50 до 150.
У транзисторов П214Б - от 20 до 150.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер - 45в.

Максимальный ток коллектора - 5А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 60в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию У транзисторов П214 без буквы, П214А - 0,3 мА.
у транзисторов П214Б, П214В,П214Г - 1,5 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более - 100 мкА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3 А и базовом 0,35А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А,П214Б - 0,9 в.
У транзисторов П214В,П214Г при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А - 2,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А - 1,2 в.
У транзисторов П214Б при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А - 0,9 в.

Рассеиваемая мощность коллектора - около 10 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока - от 100 до 150 КГц.



На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".