Электрика-это просто!.ru
Наш адрес-elektrikaetoprosto@yandex.ru

Транзисторы КТ816.

Транзисторы КТ812.




Схемы
металло
искателей.

Схемы цвето
музыкальных
устройств.

Параметры
транзисторов

П27 П28
МП20 МП25
МП26 МП35
МП36 МП37
МП38 МП39
МП40 МП42

ГТ109 ГТ115
ГТ124 ГТ125
ГТ322 ГТ402
ГТ404 ГТ806
ГТ810

П201 П202
П210 П213
П214 П215
П217 П401
П701 П702

КТ117 КТ203
КТ208КТ373
КТ312 КТ315
КТ342 КТ361
КТ368 КТ501
КТ502КТ503
КТ602 КТ603
КТ604 КТ605
КТ608 КТ611
КТ645 КТ646
КТ802 КТ803
КТ805 КТ808
КТ812 КТ814
КТ815 КТ816
КТ817 КТ818
КТ819
КТ825
КТ827 КТ839
КТ872 КТ898
КТ927 КТ932
КТ940 КТ973
КТ3102 КТ3107

BC182 BC183
BC184 BC546
BC547 BC548
BC549 BC550
BC557 B772
BC817

A733 A1015

2N104 2N457
2N3054 2N3055
2N1423 2N6051
2N6108 2N2222

SS9011(S9011)
SS9012(S9012)
STS9013(S9013)
STS9014(S9014)
SS9015(S9015)
SS9016(S9016)
SS9018(S9018)

MJE13001(13001)
MJE13002(13002)
MJE13003(13003)
MJE13005(13005)
MJE13009(13009)
2SD2499(D2499)
SS8050(S8050)




Транзисторы КТ816


Транзисторы КТ816.
Транзисторы КТ805.


Транзисторы КТ816

Транзисторы КТ816 - кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса - около 0,7 г. Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная - в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ816 цифра 6, второй знак - буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ816.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - от 25

Граничная частота передачи тока. - 3МГц.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А и токе базы 0,3А:
не более 1,5 в.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзисторов КТ816А - 25 в.
У транзисторов КТ816Б - 45 в.
У транзисторов КТ816В - 60 в.
У транзисторов КТ816Г - 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ816 - - 3А.

Рассеиваемая мощность коллектора. - 25 Вт с радиатором, 1Вт - без.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 25 в у транзисторов КТ816А, 45в - КТ816Б, 60в - КТ816В, 100в - КТ816Г, не более 100 мкА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
3000 мкА, при температуре окружающей среды + 200 по Цельсию.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц при напряжении коллектор-база 10в - 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ816 - КТ817.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ816

КТ816А - TIP32
КТ816Б - TIP32A
КТ816В - TIP32B
КТ816Г - TIP32C



Транзисторы КТ812

Транзисторы КТ812 - кремниевые, усилительные мощные низкочастотные, структуры n-p-n.
Предназначались для работы в схемах строчной развертки телевизоров и мониторов, в импульсных и ключевых схемах(приводы электрических машин, исполнительные электромеханизмы). Корпус металло-стеклянный с жесткими выводами(ТО-3).
Цоколевка КТ812 - на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов 2Т812А и 2Т812Б от 5 до 30(типовое значение - 15)
У транзисторов КТ812А и КТ812Б от 4
У транзисторов КТ812В от 10 до 125 (типовое значение - 80)

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер:
700в, - у КТ812А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А.
500в - у 2Т812Б.
300в - у КТ812В.

Максимальный постоянный ток коллектора:
10А. - у транзисторов 2Т812А, 2Т812Б.
8А. - у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В.

Максимальный импульсный ток коллектора:
17А. - у транзисторов 2Т812А, 2Т812Б.
12А. - у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В.

Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). -50 Вт.

Граничная частота передачи тока - 3 МГц.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 700 в у транзисторов 2Т812А, КТ812А - 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 500 в у транзисторов 2Т812Б, КТ812Б - 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 300 в у транзисторов КТ812В - 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.

Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 6 в у транзисторов 2Т812А,2Т812Б - 50 мА.
При напряжении эмиттер-база 7 в у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В - 150 мА.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц
при напряжении коллектор-база 100 в - 70 - 150 пФ.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ812

КТ812А - 2N5240
КТ812Б - 2N5239
КТ812В - BDY25



На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".