Транзисторы 2N5551 и 2N5401..

Транзисторы 2N5551A, 2N5551B, 2N5551C.

Транзисторы 2N5551 - кремниевые, высокочастотные,высоковольтные, усилительные структуры - n-p-n.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,650 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером - 80 МГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 160в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 180в.

Максимальное напряжение эмиттер - база - 6в.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов 2N5551A - от 80 до 160.
У транзисторов 2N5551B - от 120 до 180.
У транзисторов 2N5551C - от 150 до 250.

Максимальный постоянный ток коллектора - 0,6А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 1в.

Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 180в. не более 0,1 мА.

Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 4в не более - 0,1 мА.

Транзисторы 2N5401.

Транзисторы 2N5551 - кремниевые, высокочастотные,высоковольтные, усилительные структуры - p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,630 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером - 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 150в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 160в.

Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.

Коэффициент передачи тока - от 60 до 240.

Максимальный постоянный ток коллектора - 0,3А, 0,6А - пульсирующий.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА - не выше 1в.

Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.

Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 4в не более - 50 нА.

На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".