Транзисторы.

Параметры транзисторов.

П27 П28 МП20 МП25 МП26 МП35 МП36 МП37 МП38 МП39 МП40 МП42

ГТ109 ГТ115 ГТ124 ГТ125 ГТ322 ГТ402 ГТ404 ГТ806 ГТ810

П201 П202 П210 П213 П214 П215 П217 П401 П701 П702

КТ117 КТ203 КТ208 КТ373 КТ312 КТ315 КТ342 КТ361 КТ368 КТ501 КТ502 КТ503 КТ602 КТ603 КТ604 КТ605 КТ608 КТ611 КТ644 КТ645 КТ646 КТ802 КТ803 КТ805 КТ808 КТ812 КТ814 КТ815 КТ816 КТ817 КТ818 КТ819 КТ825 КТ827 КТ839 КТ872 КТ898 КТ927 КТ932 КТ940 КТ973 КТ3102 КТ3107

BC182 BC183 BC184 BC337 BC338 BC546 BC547 BC548 BC549 BC550 BC557 B772 BC817 BD135 BD139 BD136 BD138 BD140 BU406 BU407 B688

A733 A1015

2N104 2N457 2N3054 2N3055 2N1423 2N3904 2N3906 2N4403 2N5401 2N6051 2N6108 2N2222 2SA1266(A1266) 2SA1273(A1273) 2SC5200(C5200) 2SD882(D882) 2SD1047(D1047) 2SD1555(D1555) 2SD1710(D1710) 2SD2058(D2058) 2SD4515(D4515) 2SD5072(D5072)

SS9011(S9011) SS9012(S9012) TIP-120 TIP-122 TIP-31 TIP-32 STS9013(S9013) STS9014(S9014) SS9015(S9015) SS9016(S9016) SS9018(S9018)

MJE13001(13001) MJE13002(13002) MJE13003(13003) MJE13005(13005) MJE13009(13009) 2SD2499(D2499) SS8050(S8050)

Транзистор — радиоэлектронный компонент изготовленный на основе полупроводникового материала, часто(не всегда) снабженный тремя выводами, позволяющий управлять током в электрической цепи, при помощи входного сигнала. Управляющий сигнал не обязательно должен быть электрическим. Например, фототранзисторы - управляются светом.

Применяется для усиления слабых сигналов переменного и постоянного тока, генерации гармонических колебаний, как ключевой элемент электронных логических элементов.

Транзисторы по принципу работы, можно разделить на два основных вида - биполярные и полевые. При работе биполярных транзисторов используется два вида носителей тока - отрицательные электроны и положительные т. н. - "дырки". В работе отдельного полевого транзистора участствует какой - то один из видов носителей тока, в зависимости от вида проводника(p либо n). Биполярные транзисторы имеют сравнительно небольшое сопротивление и как правило - управляются током. Входное сопротивление полевых транзисторов велико( у транзисторов с изолированным затвором носит фактически - емкостной характер) и они управляются напряжением. Биполярные транзисторы чаще используются в аналоговой технике нежели полевые, а полевые - чаще в цифровой.
Конечно, последнее время использование транзисторов, как дискретных (отдельных) элементов - существенно ограниченно. Интегральные микросхемы, на основе как транзисторов биполярных, так и полевых "правят бал". И все-же, в случаях, когда требуется сопряжение различных устройств, управление сильными токами и высокими напряжениями - без дискретных транзисторов пока еще, не обойтись.

Первый патент на полевый транзистор, был получен в 1934 году германским физиком Оскаром Хайлом. Первый действующий образец биполярного транзистора был создан в 1947 году Уильямом Шокли, Джимом Бардином и Уолтером Браттейном в лабораториях Bell Labs. С середины пятидесятых годов биполярный транзистор начал свое победоносное шествие, постепенно вытесняя собой электронные лампы.

Основные преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников (вакуумные лампы) в большинстве электронных устройств:
малые размеры и небольшой вес, что ведет к миниатюризации электронных устройств;
высокая степень автоматизации производственных процессов и как следствие - снижение удельной стоимости;
низкие рабочие напряжения, позволяют использовать транзисторы в портативных электронных устройствах, с автономным низковольтным питанием;
Значительно большая энергоэффективность, из-за отсутствия необходимости накала катода.
высокая надёжность и большая физическая прочность - стойкость к механическим ударам и вибрации ;
более продолжительный срок службы - более 50 лет;

Несмотря на то, что принцип работы полевого транзистора значительно проще, довольно долгое время, он оставался "на втором плане." Полевые МОП транзисторы являющиеся основой современных цифровых технологий были изготовлены в 1960 году. Понадобилось более тридцати лет, прежде чем МОП технология одержала верх над биполярной, главным образом, в области конструирования интегральных цифровых микросхем.

Как устроен транзистор.

Вне зависимости от принципа работы, полупроводниковый транзистор содержит в себе монокристалл из основного полупроводникового материала, чаще всего это - кремний, германий, арсенид галлия. В основной материал добавлены, легирующие добавки для формирования p-n перехода(переходов), металлические выводы.

Кристалл помещается в металлический, пластиковый или керамический корпус, для защиты от внешних воздействий. Однако, существуют также и бескорпусные транзисторы.

На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".