Транзисторы ГТ109 и ГТ115.


Транзисторы ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В,
ГТ109Г, ГТ109Д,ГТ109Е,ГТ109Ж,
ГТ109И.
Транзисторы ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В
ГТ115Г, ГТ115Д.


Транзисторы ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И.

Транзисторы ГТ109 - германиевые, маломощные низкочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты.
Масса - около 0,1 г. Маркировка буквенно - цифровая.


Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 30 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э ):
У транзисторов ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Ж, ГТ109И - не менее 1 МГц;
У транзисторов ГТ109Д - не менее 3 МГц;
У транзисторов ГТ109Е - не менее 5 МГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 6 в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 10 в, импульсное - 16 в.

Максимальный ток коллектора - 20 мА.

Коэффициент передачи тока в режиме "малого сигнала" - у ГТ109А, ГТ109Ж от 20 до 50, у ГТ109Б от 35 до 80.
У ГТ109В - от 60 до 130,у ГТ124Г - от 110 до 150.
У ГТ109Д от 20 до 70, у ГТ109Е от 50 до 100.
У ГТ109Е от 20 до 80.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в - у транзисторов ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109И не более 5 мкА.
у транзисторов ГТ109Д - 2 мкА, у ГТ109Е, ГТ109Ж - 1 мкА, при напряжении коллектор-база 1,5в

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в у транзисторов ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Ж, ГТ109И не более - 5 мкА.
у транзисторов ГТ109Д при напряжении эмиттер-база 1,5в - 3 мкА, у ГТ109Е - 3 мкА, при напряжении эмиттер-база 1,2в




Транзисторы ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д.


Транзисторы ГТ115 - германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса - около 0,6 г. Маркировка буквенно - цифровая, сверху корпуса.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов ГТ115А, ГТ115Б - от 20 до 80, у ГТ115В, ГТ115Г находится в пределах от 60 до 150.
У транзисторов ГТ115А, ГТ115Б - от 20 до 80

Максимальное напряжение эмиттер-база - 20в.

Максимальное напряжение коллектор - база :
У транзисторов ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д - 20в.
У транзисторов ГТ115Б, ГТ115Г - 30в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером: До 1 МГц.

Максимальный ток коллектора - 30 мА.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 20в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию: У транзисторов ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д не более - 40 мкА.
У транзисторов ГТ115Б, ГТ115Г не более - 40 мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора - 50мВт.



 На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".