Транзисторы КТ816


Транзисторы КТ816.
Транзисторы КТ805.


Транзисторы КТ816

Транзисторы КТ816 - кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса - около 0,7 г. Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная - в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ816 цифра 6, второй знак - буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ816.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - от 25

Граничная частота передачи тока. - 3МГц.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А и токе базы 0,3А:
не более 1,5 в.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзисторов КТ816А - 25 в.
У транзисторов КТ816Б - 45 в.
У транзисторов КТ816В - 60 в.
У транзисторов КТ816Г - 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ816 - - 3А.

Рассеиваемая мощность коллектора. - 25 Вт с радиатором, 1Вт - без.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 25 в у транзисторов КТ816А, 45в - КТ816Б, 60в - КТ816В, 100в - КТ816Г, не более 100 мкА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
3000 мкА, при температуре окружающей среды + 200 по Цельсию.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц при напряжении коллектор-база 10в - 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ816 - КТ817.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ816

КТ816А - TIP32
КТ816Б - TIP32A
КТ816В - TIP32B
КТ816Г - TIP32C



Транзисторы КТ812

Транзисторы КТ812 - кремниевые, усилительные мощные низкочастотные, структуры n-p-n.
Предназначались для работы в схемах строчной развертки телевизоров и мониторов, в импульсных и ключевых схемах(приводы электрических машин, исполнительные электромеханизмы). Корпус металло-стеклянный с жесткими выводами(ТО-3).
Цоколевка КТ812 - на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов 2Т812А и 2Т812Б от 5 до 30(типовое значение - 15)
У транзисторов КТ812А и КТ812Б от 4
У транзисторов КТ812В от 10 до 125 (типовое значение - 80)

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер:
700в, - у КТ812А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А.
500в - у 2Т812Б.
300в - у КТ812В.

Максимальный постоянный ток коллектора:
10А. - у транзисторов 2Т812А, 2Т812Б.
8А. - у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В.

Максимальный импульсный ток коллектора:
17А. - у транзисторов 2Т812А, 2Т812Б.
12А. - у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В.

Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). -50 Вт.

Граничная частота передачи тока - 3 МГц.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 700 в у транзисторов 2Т812А, КТ812А - 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 500 в у транзисторов 2Т812Б, КТ812Б - 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 300 в у транзисторов КТ812В - 5 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.

Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 6 в у транзисторов 2Т812А,2Т812Б - 50 мА.
При напряжении эмиттер-база 7 в у транзисторов КТ812А, КТ812Б, КТ812В - 150 мА.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц
при напряжении коллектор-база 100 в - 70 - 150 пФ.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ812

КТ812А - 2N5240
КТ812Б - 2N5239
КТ812В - BDY25

На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".