Транзисторы КТ315,КТ3102, КТ817


Транзистор КТ315.
Транзистор КТ3102.
Транзистор КТ817.
Аналоги транзисторов КТ315,КТ3102,КТ817.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Транзисторы КТ315 - кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры - n-p-n.
Корпус пластиковый - желтого, красного, темно - зеленого, оранжевого цветов. Масса - около 0,18г. Маркировка буквенно - цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора - посередине, базы - оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно - эпитаксиальная технология. На пластине из материала n - проводимости формировался участок базы, проводимостью - p, затем, уже в нем - n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени - довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа.
Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это - низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.
Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока - 250 МГц.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д - от 20 до 90.
У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е - от 50 до 350.
У транзистора КТ315Ж, - от 30 до 250.
У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. транзистора КТ315А - 25в.
Транзистора КТ315Б - 20в, транзистора КТ315Ж - 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д - 40 в.
у транзисторов КТ315Г, КТ315Е - 35 в.
У транзистора КТ315И - 60 в.

Напряжение насыщения база - эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы - 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г - 1,1 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е - 1,5 в.
У транзисторов КТ315Ж - 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г - 0,4 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е - 1 в.
У транзисторов КТ315Ж - 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база - 6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е - 1 мкА.
У транзисторов КТ315Ж - 10 мкА.
У транзисторов КТ315И - 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в - 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е - 100 мА.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И - 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И - 7 пФ.
У транзисторов КТ315Ж - 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е - 150 мВт.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И - 100 мВт.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор - КТ361. Буква определяющая класс у КТ361 расположена посередине корпуса.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А - BFP719.

Аналог КТ315Б - 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока - 200МГц.

Аналог КТ315В - BFP721.

Аналог КТ315Г - BFP722, КТ315Д - BC546B






Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Транзисторы КТ3102 - кремниевые, усилительные маломощные высокочастотные, структуры n-p-n.
Пониженный коэффициент шума на частоте 1000 гц позволяет использовать эти транзисторы в каскадах предварительных усилителей звуковой частоты.
Кроме того, они применяются в усилительных и генераторных схемах высокой частоты. Корпус металлостеклянный(у более древних экземпляров) или пластиковый -
ТО-92, с гибкими выводами. Масса - около 0,5 г. Маркировка буквенно - цифровая, либо цветовая - на боковой и верхней поверхностях корпуса.

При цветовой маркировке, темно-зеленое пятно на боковой поверхности определяет тип(КТ3102). Цветовое пятно сверху обозначает группу:
Бордовое - группа А(КТ3102А).
Желтое - группа Б(КТ3102Б).
Темно-зеленое - группа В(КТ3102В).
Голубое - группа Г(КТ3102Г).
Синие - группа Д(КТ3102Д).
Цвета "электрик" - группа Е(КТ3102Е).

Цоколевка КТ3102 - на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ3102А - от 100, до 250.
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д - от 200, до 500.
У транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е - от 400, до 1000.

Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 5в, коллекторном токе 0,2мА, на частоте 1КГц:
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102А, КТ3102Г - не более 10дБ.
У транзисторов КТ3102Д, КТ3102Е - не более 10дБ. 1000.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е - 50в.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д - 30в.
У транзистора КТ3102Г - 20в.

Максимальный ток коллектора - 100мА.

Максимальное напряжение эмиттер-база - 5в.

Обратный ток коллектор-эмиттер : У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в - не более0,1мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е при напряжении коллектор-эмиттер 20 в - не более0,05мкА.

Обратный ток коллектора не более: У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в - не более 0,05мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85 - не более 5мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и у КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 20 в - не более 0,015мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85, обратный ток может вырасти до 5мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора. - 250мВт.

Граничная частота коэффициента передачи тока - 150 МГц.

Транзистор комплиментарный КТ3102 - КТ3107.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А - 2N4123
КТ3102А - 2N2483
КТ3102А - 2SC828
КТ3102А - BC546C
КТ3102А - B547B
КТ3102А - BC547C





Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, - кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры - n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса - около 0,7 г. Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная - в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак - буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В - 20.
У транзистора КТ817Г - 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока - 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзистора КТ817А - 25в.
У транзисторовКТ817Б - 45в.
У транзистора КТ817В - 60в.
У транзистора КТ817Г - 80в.

Максимальный ток коллектора. - 3А. Рассеиваемая мощность коллектора - 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт - с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А - не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А - не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в - 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц - не более - 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в - 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор - КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А - TIP31A
КТ817Б - TIP31B
КТ817В - TIP31C
КТ817Г -
2N5192.


На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".