Транзисторы КТ501 - параметры, расположение выводов.

Транзисторы КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М .

Транзисторы КТ501 кремниевые усилительные маломощные(по старой кв.- средней мощности), структура - p-n-p. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты с нормированным коэффициентом шума, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами, обозначение типа приводится на корпусе.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 3 в, токе коллектора 0,2мА и частоте 1000Гц - не более 4 дБ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 0,3А и токе базы 0,06А - 0,4 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 0,3А и токе базы 0,06А - 1,5 в.

Коэффициент усиления тока в схеме с общим эмиттером:
У транзисторов КТ501А,КТ501Г,КТ501Ж,КТ501Л - от 20 до 60.
У транзисторов КТ501Б,КТ501Д,КТ501И,КТ501М - от 40 до 120.
У транзисторов КТ501В,КТ501Е,КТ501К - от 80 до 240.

Граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер 5 в и токе коллектора 10 мА не менее - 5МГц.

Обратный ток коллектора не более - 1мкА.

Обратный ток эмиттер-база не более - 1мкА.

Максимальное постоянное напряжение коллектор-база:
У транзисторов КТ501А,КТ501Б,КТ501В - 15 в.
У транзисторов КТ501Г,КТ501Д,КТ501Е - 30 в.
У транзисторов КТ501Ж,КТ501И,КТ501К - 45 в.
У транзисторов КТ501Л,КТ501М - 60 в.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ501А,КТ501Б,КТ501В - 15 в.
У транзисторов КТ501Г,КТ501Д,КТ501Е - 30 в.
У транзисторов КТ501Ж,КТ501И,КТ501К - 45 в.
У транзисторов КТ501Л,КТ501М - 60 в.

Максимальное постоянное напряжение база-эмиттер:
У транзисторов КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е - 10 в.
У транзисторов КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М - 20 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 0,3 А, импульсный - 0,5 А.

Максимальная мощность рассеивания коллектора - 0,35 Вт.