Транзисторы ГТ322 и П214.


Транзисторы ГТ322.
Транзисторы КТ312 .


Транзисторы ГТ322

Транзисторы ГТ322 - германиевые, маломощные, высокочастотные усилительные, структуры p-n-p.
Корпус металлостекляный. Выводы коллектора, базы и эмиттера электрически изолированны от корпуса, который соеденен с четвертым, дополнительным выводом для использования в качестве экрана.
Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса. На рисунке ниже - маркировка и цоколевка ГТ322.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов ГТ322А - от 30 до 100
У транзисторов ГТ322Б, ГТ322Г, ГТ322Е - от 50 до 120
У транзисторов ГТ322В - от 20 до 120 У транзисторов ГТ322Д - от 20 до 70

Граничная частота передачи тока.
У транзисторов ГТ322А, ГТ322Б - 80 МГц.
У транзисторов ГТ322В, ГТ322Г, ГТ322Е, ГТ322Д - 50 МГц.

Коэффициент шума при частоте 1,6 МГц, напряжении база-коллектор 5в и токе 1мА - 4 дб.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 5 в на частоте 10МГц:
У транзисторов ГТ322А, ГТ322Б - 1,8 пФ.
У транзисторов ГТ322В - 2,5 пФ.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер.
У транзисторов ГТ322А, ГТ322В - 10 в.
У транзисторов ГТ322Б - 6 в.
У транзисторов ГТ322Г, ГТ322Д, ГТ322Е - 15 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). - 10мА.

Рассеиваемая мощность коллектора. 50 мВт.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 10 в - 4 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
100 мкА - при + 55 по Цельсию.

Зарубежные аналоги транзисторов ГТ322.

ГТ322А - GF514, GF515, GF516.
ГТ322Б - 2N987, 2SA104,2SA256.
ГТ322В - 2N990, 2N991, 2N993.



Транзисторы КТ312

Транзисторы КТ312 - маломощные высокочастотные кремниевые n-p-n. Корпус металлостекляный, герметичный. Маркировка буквенно - цифровая, сбоку корпуса. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ312.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ312А - от 10 до 100.
У транзисторов КТ312Б - от 25 до 100.
У транзисторов КТ312В - от 50 до 280.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
 У транзисторов КТ312А, КТ321В - - 20в.
У транзисторов КТ312Б - - 35в.

Максимальный ток коллектора - 30мА.

Рассеиваемая мощность коллектора - около 225 мВт.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 30 в, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию:
У транзисторов 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В - 1 мкА.
У транзисторов КТ312А, КТ312Б, при напряжении коллектор-база 20в и КТ312В, при напряжении 35в - 10 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4 в - 10 мкА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 20мА, базы 2мА:
У транзисторов 2Т312А, 2Т312Б - 0,5в.
У транзисторов 2Т312В - 0,35в.
У транзисторов КТ312А, КТ312Б, КТ312В - 0,8в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 20мА, базы 2мА - не выше 1,1в.

Граничная частота передачи тока
У транзисторов КТ312А - -80 МГц.
У транзисторов КТ312Б, КТ312В - - 120 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ312.

КТ312А - 2N702.
ГТ322Б - 2N729, 2N780, BSY42.
КТ312В - 2N703, 2N728 .

На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".