Транзисторы B772

Транзисторы B772R, B772O, B772Y, B772GR

Транзисторы B772 - кремниевые, высокочастотные усилительные, структуры - p-n-p.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей УМЗЧ, преобразователях напряжения, маломощных приводах исполнительных устройств.
Корпус пластиковый TO-126, либо SOT-89. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 1,25 Вт для транзисторов в корпусе TO-126 и 0,5 Вт в корпусе SOT-89.
С радиатором(корпус TO-126) - 12,5Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером - 50 МГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 30в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 40в.

Максимальное напряжение эмиттер - база - 5в.

Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе TO-126 (datasheet STANSON TECHNOLOGY):
У транзисторов B772R - от 110 до 220.
У транзисторов B772O - от 200 до 450.
У транзисторов B772Y - от 420 до 800.

Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе SOT-89 (datasheet JIANGSU CHANGJIANG):
У транзисторов B772R - от 60 до 120.
У транзисторов B772O - от 100 до 200.
У транзисторов B772Y - от 160 до 320.
У транзисторов B772GR - от 200 до 400.

Максимальный постоянный ток коллектора - 3А, пульсирующий - 5А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 2А, базы 0,1А - не выше 0,5в.

Обратный ток коллектор - эмиттер при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-эмиттер 10в. не более 0,1 мА.

Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 5в не более - 0,1 мА.

На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".