Транзисторы B772R, B772O, B772Y, B772GR
Транзисторы B772 - кремниевые, высокочастотные
усилительные, структуры - p-n-p. Предназначены для применения в выходных
каскадах усилителей УМЗЧ, преобразователях напряжения, маломощных приводах исполнительных устройств.
Корпус пластиковый TO-126, либо SOT-89.
Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 1,25 Вт
для транзисторов в корпусе TO-126 и 0,5 Вт в корпусе SOT-89.
С радиатором(корпус TO-126) - 12,5Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером
- 50 МГц;
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер
- 30в.
Максимальное напряжение коллектор - база
- 40в.
Максимальное напряжение эмиттер - база
- 5в.
Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе TO-126
(datasheet STANSON TECHNOLOGY):
У транзисторов B772R - от 110 до 220.
У транзисторов B772O - от 200 до 450.
У транзисторов B772Y - от 420 до 800.
Коэффициент передачи тока у транзисторов в корпусе SOT-89
(datasheet JIANGSU CHANGJIANG):
У транзисторов B772R - от 60 до 120.
У транзисторов B772O - от 100 до 200.
У транзисторов B772Y - от 160 до 320.
У транзисторов B772GR - от 200 до 400.
Максимальный постоянный ток коллектора - 3А, пульсирующий - 5А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 2А, базы 0,1А
- не выше 0,5в.
Обратный ток коллектор - эмиттер при температуре окружающей среды
+25 по Цельсию и напряжению коллектор-эмиттер 10в.
не более 0,1 мА.
Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 5в не более - 0,1 мА.
На главную страницу
Использование каких - либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".
|