Транзисторы SS9016(S9016) и SS9018(S9018).

Транзисторы SS9016(S9016) D,SS9016(S9016) E,
SS9016(S9016) F, SS9016(S9016) G, SS9016(S9016) H, SS9016(S9016) I.

Транзисторы SS9016(S9016) - кремниевые, сверхвысокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.
Корпус пластиковый SOT-23 или TO-92. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно - цифровая (S9016), у транзисторов с корпусом SOT-23 - код Y6 сверху .

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность (Рк т max ):
с корпусом SOT-23 - 0,2 Вт, с корпусом TO-92 - 0,3 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером минимум - 400 МГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 20в.

Максимальное напряжение коллектор - база - 30в.

Максимальное напряжение эмиттер - база - 4в.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов SS9016(S9016) с буквой D - от 28 до 45.
У транзисторов SS9016(S9016) с буквой E - от 39 до 60.
У транзисторов SS9016(S9016) с буквой F - от 54 до 80.
У транзисторов SS9016(S9016) с буквой G - от 72 до 108.
У транзисторов SS9016(S9016) с буквой H - от 97 до 146.
У транзисторов SS9016(S9016) с буквой I - от 132 до 198.

Максимальный постоянный ток коллектора - 25мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10мА, базы 1мА - не выше 0,3в.

Обратный ток коллектор - база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 30в. не более 0,1 мА.

Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 3в не более - 0,1 мА.

Транзисторы SS9018(S9018) D,SS9018(S9018) E,
SS9018(S9018) F, SS9018(S9018) G,SS9018(S9018) H,SS9018(S9018) I.

Транзисторы SS9018(S9018) - кремниевые, сверхвысокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.