Транзисторы КТ818 и КТ825


Транзисторы КТ818.
Транзисторы КТ825.


Транзисторы КТ818

Транзисторы КТ818 - кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры - p-n-p.
Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818АМ, 2Т818БМ, 2Т818ВМ, 2Т818ГМ выполнены в металло-стеклянном корпусе (TO-3).
Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - в пластиковом (TO-220).
Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока -3 МГц.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ818Г - не ниже 12.
У транзисторов КТ818А, КТ818В - не ниже 15.
У транзисторов КТ818Б, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 - не ниже 20.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзисторов КТ818А - 25 в.
У транзисторов КТ818Б, КТ818БМ, 2Т818В - 40 в.
У транзисторов КТ818В, КТ818ВМ, 2Т818Б - 60 в.
У транзисторов КТ818Г, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818А2 - 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - 15 А.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 - 20 А.

Напряжение насыщения база - эмиттер при токе коллектора 5 А и базовом токе 0,5 А:
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В - не более 1,5 в.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - не более 3 в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В - 1 в.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - 2 в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более - 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор - база 40 в:
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ при температуре от -40 градусов Цельсия до +24 - 1 мА, при +100 - 10 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - 60 Вт на радиаторе.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В - 100 Вт на радиаторе.
У транзисторов 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 - 40 Вт на радиаторе.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г - 1,5 Вт без радиатора.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ - 2 Вт без радиатора.
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В - 3 Вт без радиатора.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ818

КТ818А - 2N5193.
КТ818Б - 2N6132.
КТ818БМ - 2N6469.
КТ818В - 2N5194.
КТ818ВМ - 2N6246.
КТ818ГM - 2N6247.
2Т818А - BD292.
2Т818Б - BD202.
2Т818В - BD177.

Несложная схема мощного усилителя с КТ818 и КТ819 в выходном каскаде.

Транзисторы VT1,VT2 - КТ3102А, КТ3102Б, КТ315В тоже подойдут.
Транзисторы VT3,VT5 - КТ814А(КТ816А подойдут тоже),VT4 - КТ815А или КТ817А, транзистор VT7 - КТ818, транзистор VT6 - КТ819. Конденсаторы на напряжение 50в. Резисторы R7 - R8 проволочные(нихром), остальные любого типа, мощностью 0,25 Вт. Источник питания двухполярный, желательно стабилизированный расчитанный на работу при макимальных токах не менее 5 А.

Настройка сводится к подбору величины сопротивления резисторов R3 и R6. R3 задает режим работы входного каскада(диф.усилитель), R6 - режим работы выходного каскада на составных транзисторах, ток покоя должен составлять менее 60 mA.
Максимальный уровень выходного сигнала(амплитуда 12 в) без заметных искажений, при активной нагрузке 4 Ома, достигается при напряжении на входе 1в. Т. е. - коэффициент усиления по напряжению всего лишь - 12. Но ток в нагрузке при этом может достигать 3А. Таким образом, можно сказать, что моментальная пиковая мощность достигает 36 вт при активной нагруке 4 Ома. При активной нагрузке 2 Ома амплитуда выходного каскада снижается до 10 в, но ток вырастает до 5А. В итоге, пиковая мощность может достигать 50 вт.

Можно поробовать увеличить мощность, повышая напряжение питания. Это потребует изменения величины сопротивления резисторов R3 и R6 в сторону увеличения номинала. При повышении напряжения питания до 18в при нагрузке 4 Ома, можно получить пиковую мощность свыше 50вт и действующую - около 30.




Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 - кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 - можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 - от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 - от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 - 45 в.
У транзисторов КТ825Е - 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 - 60 в.
У транзисторов КТ825Г - 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 - 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В - 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 - 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В - 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 - 30 Вт.
Без радиатора - 3 Вт.

Напряжение насыщения база - эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
- 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА - 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц - не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА - не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В - +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока - 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г - 2N6051.
КТ825Д - 2N6050.
КТ825Е - BDX64.
КТ825ГM - 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б - 2N6286.
2Т825А - TIP147, TIP142

На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".