Транзисторы КТ502 - параметры, расположение выводов.

Транзисторы КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г,КТ502Д, КТ502Е .

Транзисторы КТ502 - кремниевые, низкочастотные усилительные, структуры - p-n-p.
Корпус - пластмассовый с гибкими выводами, масса - около 0,3 гр..
Маркировка кодированная:
1. Знаковая - белый полукруг на корпусе сверху - слева, буква обозначающая группу сверху - справа.
2. Цветовая - желтое пятно сбоку, цвет пятна сверху обозначает группу.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,35 Вт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ502А, КТ502Б - 25 в.
У транзисторов КТ502В, КТ502Г - 40 в.
У транзисторов КТ502Д - 60 в.
У транзисторов КТ502Е - 80 в.

Максимальное напряжение коллектор-база:
У транзисторов КТ502А, КТ502Б - 25 в.
У транзисторов КТ502В, КТ502Г - 40 в.
У транзисторов КТ502Д - 60 в.
У транзисторов КТ502Е - 80 в.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база - 5 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 100мА, импульсный - 350мА . Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ502А, КТ502Б, КТ502Д, КТ502Е - от 40 до 120.
У транзисторов КТ502Г - от 80 до 140.

Обратный ток коллектор-база при максимальном напряжении коллектор-база - 1 мкА.

Напряжение насыщeния коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА - не более 0,6в.

Напряжение насыщeния база-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА - не более 1,2в.

Граничная частота передачи тока( fh21э ) - 5 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ502.

На главную страницу