Транзисторы КТ814 и КТ827.


Транзисторы КТ814.
Транзисторы КТ827.


Транзисторы КТ814

Транзисторы КТ814 - кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса - около 0,7 г. Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная - в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак - буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В - от 40
У транзисторов КТ814Г - 30

Граничная частота передачи тока. - 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзисторов КТ814А - 25 в.
У транзисторов КТ814Б - 40 в.
У транзисторов КТ814В - 60 в.
У транзисторов КТ814Г - 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 - 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А - 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А - 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. - 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более - 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более - 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более - 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 - КТ815.



Транзисторы КТ827

Транзисторы КТ827 - кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры - n-p-n.
Корпус металло-стекляный(ТО-3). Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - У транзисторов КТ827А - от 500 до 18000.
У транзисторов КТ827Б, КТ827В - от 750 до 18000.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
 У транзисторов КТ827А - 100в.
У транзисторов КТ827Б - 80в.
У транзисторов КТ827В - 60в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении - 1,75в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до - 4-х в, при типовом значении - 3 в.

Максимальный ток коллектора - 20 А.

Рассеиваемая мощность коллектора - 125 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока - 4МГц.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более - 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более - 2 мА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в - не более 350 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более - 400 пФ.

Транзистор комплементарный КТ827 - КТ825.


На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".