Транзисторы КТ645, КТ646 - параметры,
цоколевка.

Транзисторы КТ646 - кремниевые, высокочастотные, быстродействующие структуры n-p-n .
В настоящее время эти транзисторы производятся на белорусском предприятии "Интеграл", а также в ЗАО"Кремний-Маркетинг"(Брянск).
Корпус пластиковый TO-126.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 1 Вт без радиатора,2,5 Вт - с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ646А - 50 в.
У транзисторов КТ646Б - 40 в.
У транзисторов КТ646В - 40 в.

Максимальное напряжение коллектор - база(постоянное):
У транзисторов КТ646А - 60 в.
У транзисторов КТ646Б - 40 в.
У транзисторов КТ646В - 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У всех транзисторов КТ646 - 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 1А, импульсный - 1,2А.

Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" :
У транзисторов КТ646А - от 40 до 200.
У транзисторов КТ646Б - свыше 150.
У транзисторов КТ646В -от 150 до 340.

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию:
У транзисторов КТ646А при напряжении коллектор-база 60в - не более 10мкА.
У транзисторов КТ646Б при напряжении коллектор-база 40в - не более 10мкА.
У транзисторов КТ646В при напряжении коллектор-база 35в - не более 0,05мкА..

Граничная частота передачи тока( fh21э ) - 250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор - эмиттер: У транзисторов КТ646А при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА - не более 0,85 в.
У транзисторов КТ646Б при токе колектора 200 мА и токе базы 20 мА - не более 0,25 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА - не более 0,25 в.

Напряжение насыщения база - эмиттер - при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА - не более 1,2 в.

Аналоги КТ646.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б были разработаны на основе импортных 2SC495 и 2SC496, соответственно.
Аналоги получились не полные, но ближайшими их вполне назвать можно.