Транзисторы
П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г.
Транзисторы П217 - германиевые, усилительные, большой мощности
низкочастотные, структуры - p-n-p.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей мощности, преобразователях
напряжения, схемах переключения.
Выпускались в металлостеклянном корпусе двух видов с жесткими выводами.
Маркировка буквенно - цифровая, на верхней поверхности корпуса.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ):
У транзисторов П217, П217А, П217Б - 30 Вт (с радиатором).
У транзисторов П217В, П217Г - 24 Вт (с радиатором).
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер -
60 в.
Максимальное напряжение коллектор - база -
60 в.
Максимальное напряжение эмитер - база -
15 в.
Максимальный ток коллектора -
7,5 А.
Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" в режиме насыщения
при токе коллектра 0,2 А
-от 20 до 150.
Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и
предельном напряжении коллектор-эмиттер (60в) -
не более 50 мА.
Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и
предельном напряжении коллектор-база(60в):
У транзисторов П217, П217А, П217Б - не более 0,3 мА.
У транзисторов П217В, П217Г - не более 3 мА.
Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой -
100 кГц.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,5А -
не более 1 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3,5А, базы 0,5А -
не более 1.5 в.
На главную страницу
В начало
Использование каких - либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".