Транзисторы КТ808, 2Т808 - параметры,
маркировка, расположение выводов.

Транзисторы КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, 2Т808А.

Транзисторы КТ808, 2Т808А - кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры - n-p-n.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Маркировка буквенно - цифровая. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ корпус - T03.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ):
У транзисторов КТ808А, 2Т808 - 50 Вт с радиатором и 5 Вт - без.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ - 60 Вт с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер: У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, - 120 в, пульсирующее - 250 в.
У транзисторов 2Т808А - 200 в, пульсирующее - 300 в.
У транзисторов КТ808БМ - 100 в, пульсирующее - 160 в.
У транзисторов КТ808ВМ - 80 в, пульсирующее - 135 в.
У транзисторов КТ808ГМ - 70 в, пульсирующее - 80 в.

Максимальное напряжение эмиттер - база - 4 в.

Максимальный ток коллектора - импульсный 10 А.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ808А, 2Т808 - от 10 до 150, при типовом значении - 15.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ - от 20 до 125

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию - не более 3 мА у транзисторов 2Т808А при напряжении коллектор - эмиттер 200 в и у транзисторов КТ808А при напряжении коллектор - эмиттер 120 в.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ - 2мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более - 50 мА.

Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А - не более - 2,5 В.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ - 8МГц.
У транзисторов КТ808А, 2Т808А - 7,5МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ808.

На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".