Транзисторы ГТ806(1Т806), ГТ810.

Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д.

Транзисторы ГТ806(1Т806) - германиевые, мощные низкочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами Предназначены для применения в импульсных схемах,преобразователях, стабилизаторах тока и напряжения.
Выпускались в металло-стеклянном корпусе с жесткими выводами. Масса - около 28 г. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 30 Вт на радиаторе, 2 Вт - без радиатора.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер: У транзисторов 1Т806А, ГТ806А - 75 в.
У транзисторов 1Т806Б, ГТ806Б - 100 в.
У транзисторов 1Т806В, ГТ806В - 120 в.
У транзисторов ГТ806Г - 50 в.
У транзисторов ГТ806Д - 140 в.

Максимальное напряжение база-эмиттер: У транзисторов 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В - 2 в.
У транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д - 15 в.

Максимальный ток коллектора(импульсный) - 25 А.

Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" в режиме насыщения при токе коллектора 10А - от 10 до 100.

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию:
у транзисторов 1Т806А при напряжении база-эмиттер 1в и колектор-эмиттер 75в - не более 12 мА.
у транзисторов 1Т806Б при напряжении база-эмиттер 1в и колектор-эмиттер 100в - не более 12 мА.
у транзисторов 1Т806В при напряжении база-эмиттер 1в и колектор-эмиттер 120в - не более 12 мА.
У транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д при напряжении база-эмитер 1в и экстремальных значениях напряжения коллектор-эмиттер - 15 мА.

Обратный ток эмиттер-база :
у транзисторов 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В при напряжении эмиттер-база 2в - 5 мА.
у транзисторов ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д при напряжении эмиттер-база 1,5в - 8 мА.

Транзисторы ГТ810А.

На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".