Транзисторы КТ316, 1Т316 - параметры, расположение выводов.

Транзисторы КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д

Транзисторы КТ342 - кремниевые, маломощные, высокочастотные, усилительные и перключательные, структуры - n-p-n.
Предназначены для усиления и генерирования в широком диапазоне частот. У транзисторов КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д - корпус металлостеклянный с гибкими выводами, масса около 0,6 гр. Очень высокое содержание золота - свыше 10 грамм на 1000 транзисторов.
У модифицированных транзисторов КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ - корпус пластиковый.
Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 150 vВт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер- 10 в.

Максимальное напряжение коллектор-база- 10 в.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база - 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 30мА .

Обратный ток коллектора при максимальном напряжении коллектор-база - 0,5 мкА.

Обратный ток эмиттера при максимальном напряжении эмиттер-база - 1 мкА.

Напряжение насыщeния коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА - не более 0,4в.

Напряжение насыщeния база-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА - не более 1,1в.

Граничная частота передачи тока( fh21э ):
У транзисторов КТ316А, КТ316Г, 2Т316АМ, КТ316ГМ, 2Т316А, 2Т316Г - 600 МГц.
У транзисторов КТ316Б, КТ316В, КТ316Д, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ДМ, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д - 800 МГц.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ316А, КТ316АМ, 2Т316А - от 20 до 60.
У транзисторов КТ316Б, КТ316В, 2Т316БМ, КТ316ВМ, 2Т316Б, 2Т316В - от 40 до 120.
У транзисторов КТ316Г, КТ316ГМ, 2Т316Г - от 20 до 100.
У транзисторов КТ316Д, КТ316ДМ, 2Т316Д - от 60 до 300.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ361.

На главную страницу