Транзисторы КТ342 - параметры, расположение выводов.

Транзисторы КТ342А, КТ342Б, КТ342В.

Транзисторы КТ342 - кремниевые, маломощные, высокочастотные, усилительные универсальные, структуры - n-p-n.
Предназначены для усиления и генерирования сигналов в широком диапазоне частот. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами, масса около 0,5 гр.
Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,25 Вт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ342А - 25 в.
У транзисторов КТ342Б - 20 в.
У транзисторов КТ342В - 10 в.

Максимальное напряжение коллектор-база:
У транзисторов КТ342А - 25 в.
У транзисторов КТ342Б - 20 в.
У транзисторов КТ342В - 10 в.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база - 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 50мА, импульсный - 300мА.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ342А - от 25 до 250.
У транзисторов КТ342Б - от 50 до 500.
У транзисторов КТ342В - от 100 до 1000.

Обратный ток коллектор-эмитер при максимальном напряжении коллектор-эмитер - 1 мкА.

Напряжение насыщeния коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА - не более 0,1в.

Напряжение насыщeния база-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА - не более 0,9в.

Граничная частота передачи тока( fh21э ) У транзисторов КТ342А - 250 МГц.
У транзисторов КТ342Б, КТ342В - 300 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ342.

На главную страницу