Электрика-это просто!.ru
Наш адрес-elektrikaetoprosto@yandex.ru





Транзисторы МГТ108А, МГТ108Б, МГТ108В, МГТ108Г, МГТ108Д - параметры, расположение выводов.


Аналоги транзисторов МГТ108.


Транзисторы МГТ108А, МГТ108Б, МГТ108В, МГТ108Г, МГТ108Д.

Транзисторы МГТ108 - германиевые, низкочастотные усилительные, структуры - p-n-p.
Корпус - металлический с гибкими выводами .
Маркировка - на боковой поверхности корпуса.


Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 75 мВт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер- 10 в.

Максимальное напряжение коллектор-база - 10 в.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база - 5 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 50мА.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов МГТ108А - от 25 до 50.
У транзисторов МГТ108Б - от 35 до 80.
У транзисторов МГТ108В - от 60 до 130.
У транзисторов МГТ108Г - от 110 до 250.
У транзисторов МГТ108Д - от 30 до 120.

Обратный ток коллектор-база при максимальном напряжении коллектор-база - 10 мкА.

Граничная частота передачи тока( fh21э ):
У транзисторов МГТ108А - 0,5 МГц.
У транзисторов МГТ108Б, МГТ108В, МГТ108Г, МГТ108Д - 1 МГц.






Зарубежные аналоги транзисторов МГТ108.

МГТ108А можно заменить на 2N130, 2N206.
МГТ108Б - 2N131, 2N133.
МГТ108В - 2N132.
МГТ108Г - 2N207,2SB400.
МГТ108Д - 2SB47.

На главную страницу
В начало