Транзисторы МГТ108А, МГТ108Б,
МГТ108В, МГТ108Г, МГТ108Д
- параметры, расположение выводов.

Транзисторы МГТ108А, МГТ108Б, МГТ108В, МГТ108Г, МГТ108Д.

Транзисторы МГТ108 - германиевые, низкочастотные усилительные, структуры - p-n-p.
Корпус - металлический с гибкими выводами .
Маркировка - на боковой поверхности корпуса.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 75 мВт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер- 10 в.

Максимальное напряжение коллектор-база - 10 в.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база - 5 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 50мА.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов МГТ108А - от 25 до 50.
У транзисторов МГТ108Б - от 35 до 80.
У транзисторов МГТ108В - от 60 до 130.
У транзисторов МГТ108Г - от 110 до 250.
У транзисторов МГТ108Д - от 30 до 120.

Обратный ток коллектор-база при максимальном напряжении коллектор-база - 10 мкА.

Граничная частота передачи тока( fh21э ):
У транзисторов МГТ108А - 0,5 МГц.
У транзисторов МГТ108Б, МГТ108В, МГТ108Г, МГТ108Д - 1 МГц.

На главную страницу