Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829.


Транзисторы КТ837(2Т837).
Транзисторы КТ829 .


Транзисторы КТ837(2Т837)

Транзисторы КТ837(2Т837) - кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус металло-пластик. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Ж, КТ837И, КТ837Т - от 10 до 40
У транзисторов КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837М, КТ837П, КТ837У - от 20 до 80
У транзисторов КТ837Н, КТ837Ф - от 50 до 150
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г - от 15 до 120
У транзисторов 2Т837Б, 2Т837Д - от 30 до 150
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е - от 40 до 180

Граничная частота передачи тока. - 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837М, КТ837Л, КТ837Н - 60 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С - 45 в.
У транзисторов КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф - 30 в.
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г - 55 в.
У транзисторов 2Т837Д, 2Т837Б - 45 в.
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е - 35 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ837 - 7,5 А.
У всех транзисторов 2Т837 - 8 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер.
У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Ж, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н - не более 2,5 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф - не более 0,5 в.
У транзисторов КТ837П, КТ837Р, КТ837С - не более 0,9 в.

Обратный ток коллектора. - не более 0,15 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора. - 30 Вт(с радиатором).

Зарубежные аналоги транзисторов КТ837

КТ837А - 2SD685
КТ837Б - 2T7534C
КТ837В - 2SB834, 2SB906
КТ837Д - 2N6111


Транзисторы КТ829

Транзисторы КТ829 - кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры - n-p-n.
Корпус металло-пластиковый. Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
 У транзисторов КТ829А - 100в.
У транзисторов КТ829Б - 80в.
У транзисторов КТ829А - 60в.
У транзисторов КТ829Г - 45в.

Максимальный ток коллектора - 8 А.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении эмиттер-коллектор близкому к максимальному и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию - не более 1,5 мА.
При температуре окружающей среды +85 по Цельсию - не более 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в - не более 2 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА - не более 2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА:
- не более 2,5 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. - 60 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока - 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ829

КТ829А - 2SD686
КТ829Б - BD263
КТ829В - TIP122
КТ829Д - BDX53E

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно - это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка "подпирает" транзистор.


На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".